该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体,是因为其禁带宽度较宽。
第一第二代半导体的禁带宽度一般在1.0ev到1.5ev左右。
但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2ev,这类材料主要包括an(氮化镓、)aln(氮化铝)、ze(硒化锌)以及金刚石等。
禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。
禁带宽度越宽,耐压和耐高温的性能越强。
因此,在诸多性能上,第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。
该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体,是因为其禁带宽度较宽。
第一第二代半导体的禁带宽度一般在1.0ev到1.5ev左右。
但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2ev,这类材料主要包括an(氮化镓、)aln(氮化铝)、ze(硒化锌)以及金刚石等。
禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。
禁带宽度越宽,耐压和耐高温的性能越强。
因此,在诸多性能上,第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。